SEM熱電芯片臺(tái)
SEM熱電芯片臺(tái)可搭配電學(xué)測(cè)試，兼容指定型號(hào)掃描電鏡，芯片兼容TEM-MEMS原位芯片樣品桿。
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SEM熱電芯片臺(tái)可搭配電學(xué)測(cè)試，兼容指定型號(hào)掃描電鏡，芯片兼容TEM-MEMS原位芯片樣品桿。
澤攸科技PicoFemto掃描電鏡熱電芯片樣品臺(tái)采用MEMS微加工工藝在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建實(shí)驗(yàn)環(huán)境，通過(guò)MEMS芯片對(duì)樣品施加熱場(chǎng)和電信號(hào)等，結(jié)合使用EDS等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品的表征變化。
? 性能指標(biāo)：
▲ 兼容指定型號(hào)掃描電鏡
▲ 最高加熱溫度：1200 ℃
▲ 控溫穩(wěn)定性：±0.1 ℃
▲ 高溫下樣品漂移：≤0.7 nm/min
▲ 高溫下圖像分辨率：≤1.2 nm@15kV
▲ 芯片兼容TEM-MEMS原位芯片樣品桿
▲ 電壓輸出最大±200 A，最小±100 nA
▲ 電流測(cè)量最大±1.5 A,最小±100 fA
▲ 自動(dòng)I-V,I-t測(cè)量，數(shù)據(jù)自動(dòng)保存
▲ 可搭配電學(xué)測(cè)量
