加速電壓是掃描電鏡（SEM）里非常關(guān)鍵的參數(shù)，控制它主要有以下幾個(gè)原因：

電子束穿透深度與分辨率

高加速電壓（10–30 kV）：電子能量高，穿透深度大，激發(fā)的信號(hào)范圍更廣，適合觀測(cè)樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)或厚樣品，但會(huì)降低表面分辨率。

低加速電壓（0.5–5 kV）：電子束與樣品的相互作用區(qū)域變淺，更突出表面信息，分辨率更高，特別適合觀察樣品表層精細(xì)結(jié)構(gòu)。

電荷效應(yīng)（Charging Effect）

非導(dǎo)電樣品在高電壓下容易積累電荷，導(dǎo)致圖像發(fā)亮、漂移或變形。

使用低電壓可以減輕樣品充電問(wèn)題，避免對(duì)非導(dǎo)電材料額外鍍層的需求。

信號(hào)類(lèi)型與對(duì)比度

高電壓更容易激發(fā) X 射線信號(hào)，有利于能譜分析（EDS/EDX）。

低電壓更適合獲取 二次電子圖像，增強(qiáng)表面形貌對(duì)比。

樣品損傷

高電壓電子束可能導(dǎo)致樣品發(fā)熱、結(jié)構(gòu)損壞或改性，特別是對(duì)生物樣品、聚合物或低熔點(diǎn)材料。

控制電壓可降低束流損傷，延長(zhǎng)樣品穩(wěn)定成像時(shí)間。